深圳市新迅和电子有限公司

13年

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NCE75TD120WT原装 场效应管 IGBT晶体管
NCE75TD120WT原装 场效应管 IGBT晶体管
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NCE75TD120WT原装 场效应管 IGBT晶体管

型号/规格:

NCE75TD120WT

品牌/商标:

新洁能

环保类别:

无铅环保型

封装形式:

TO-247

安装方式:

直插式

包装方式:

散装

功率:

大功率

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产品信息



MOS场效应管参数

    型号/规格:NCE75TD120WT 
   品牌/商标:新洁能
   封装形式: TO-247
   环保类别: 无铅环保型
   安装方式:贴片式和直插式
   包装方式:  卷带编带和散装
   功率特征:大功率


  
MOS场效应管电源开关电路
   在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电  
流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态。

 当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。 (新洁能MOS场效应管原装现货)



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