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概述 CLR64XX是一款高性能高耐压的副边同步整流控制芯片，适用于AC-DC反激变换系统，支持DCM、QR和CCM 多种工作模式的电源系统。用于替换反激系统中次级整流肖特基二极管。 CLR64XX采用多样化VCC供电技术，在不需要辅助绕组供电的情况下，能保证AC-DC控制器在多种输出电压条 件下，芯片VCC供电都会不出现欠压。 特性 ◆兼容DCM、CCM和QR反激转换器 ◆输出电压直接供给VCC ◆150uA低静态电流 ◆4.5A驱动电流保证MOSFET快速关断 ◆支持zui大200kHz 开关频率 ◆支持低输出电压工作 ◆采用SOP8封装形式应用范围 ◆移动设备充电器 ◆适配器 ◆反激转换器CLR64XX能够支持DCM、CCM和Quasi-Resonant反激转换器，能够提高系统的效率。次级边导通时，电流首先 通过功率MOSFET的体二极管，电路检测到功率MOSFET的漏端电压比其源端电压低约0.26V时，立即打开功率 MOSFET，降低系统的导通损耗。当Ton超过约400ns时，功率MOSFET驱动的逻辑上拉会关闭，而后线性驱动器介入 工作。当通过功率MOSFET的电流下降使得漏端电压比源端电压低约40mV时，线性驱动器便会通过降低MOSFET的 驱动电压VDRIVER使MOSFET的阻抗增大，从而将Drain端电压维持在-40mV左右。当电流接近0时，线性驱动器的调 节无法将Drain电压继续维持在-40mV，Drain电压会继续上升。当其电压达到-12mV左右时，芯片会立即通过逻辑将功 率MOSFET完全关断。若DRV导通时，VDS>3V则DRV强制关断MOSFET。功率MOSFET关闭后，CLR64XX需要检 测到芯片内部SR端电压达到约6V以上，且持续时间大于0.3us后，才认为是yi次有效的原边导通；而后芯片内部SR下 降到-0.26V后立刻打开MOS管；如未检测到有效的原边导通，但芯片内部SR仍低于-0.26V，则需要等待大约2us后才 打开MOS管,这样可以在一定程度上避免因谐振干扰造成误动作。 消隐功能 CLR64XX在功率MOSFET开启和关闭后都有消隐功能，确保无论开关都会持续一定时间。其中开启消隐时间为 0.65us，关闭消隐时间设定为1.2us。 欠压保护功能 (UVLO) 当VCC降低到VUVLO2以下时，电路处于睡眠模式，MOSFET不会被打开。在系统上电后的一段时间，由于VCC 电压未达到VUVLO1，功率MOSFET不会被打开，完全由功率MOSFET的体二极管进行续流，直到VCC电压超过 VUVLO1，芯片开始正常开关。

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。

它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。


同步整流工作原理：

从同步整流原理图中可以看出，整流管VT3和续流管VT2的驱动电压从变压器的副边绕组取出，加在MOS管的

栅G和漏D之间，如果在独立的电路中MOS管这样应用不能完全开通，损耗很大，但用在同步整流时是可

行的简化方案。由于这两个管子开关状态互琐，一个管子开，另一个管子关，所以我们只简要分析电感电

流连续时的开通情况，我们知道MOS管具有体内寄生的反并联二极管，这样电感电流连续应用时，MOS

管在真正开通之前并联的二极管已经开通，把源S和漏D相对栅的电平保持一致，加在GD之间的电压等同

于加在GS之间的电压，这样变压器副边绕组同铭端为正时，整流管VT3的栅漏电压为正，整流管零压开通

，当变压器副边绕组为负时，续流管VT2开通，滤波电感续流。栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步

才能完成整流功能，故称之为同步整流。